报告摘要: 实际的晶体中往往含有大量的缺陷，利用某些缺陷特殊的电子态可以有效地调控材料的物理和化学特性，以实现特定的器件功能的需要。实验技术和工艺的迅速发展使得对晶体中缺陷类型和结构的控制已逐渐成为可能。报告主要介绍我们近年来针对石墨烯、氮化硼和硫化钼等二维材料以及碳化硅晶体中空位缺陷电子态的自旋极化、铁磁序以及激光饱和吸收等方面的理论和实验研究进展。 

报告人简介: 赵明文，山东大学学士、博士。现任山东大学物理学院教授、博士研究生导师。致力于半导体缺陷自旋物理、低维纳米材料结构设计和物性调控以及二维有机拓扑绝缘体等方面的研究，发表SCI收录论文200余篇，累计被SCI文章引用2300余次，H因子25。获得教育部自然科学一等奖 (2003年) 和二等奖(2010年)各一次，入选教育部新世纪优秀人才支持计划 (2005年)。

Date&Time: October 28, 2014(Tuesday), 10:00 – 12:00 a.m.
Location: 606 Conference Room