密度泛函理论是半导体电子结构计算的核心工具, 但常见的泛函(如 LDA/GGA)在半导体带隙的预测中, 存在系统性的误差, 这主要是由于电子自相互作用误差造成的。传统修正方法如杂化泛函、GW 近似等, 虽然能提升计算精度, 但计算成本偏高, 难以应用与大体系或高通量筛选。DFT+U+V 理论为处理这一问题提供了一种有效的解决方法, 然而 U/V 参数的经验依赖性成为制约其在半导体带隙计算中的进一步推广。Wannier-Koopmans 方法(WKM)是一种基于 Koopmans 定理和 Wannier 函数的高效带隙计算方法, 无需依赖经验参数, 可以得到准确的带隙。本次报告中, 我将介绍我们近期提出 DFT+W 的理论, 旨在结合 WKM的精度与 DFT+U+V 理论的普适性, 为半导体带隙计算提供"精度-效率"平衡的解决方案。

韩锦森, 国防科技大学理学院物理系讲师。本科和博士均毕业于国防科技大学, 2023年留校任教。2023 年 10 月加入中国科学院半导体研究所从事博士后研究, 合作导师汪林望研究员。主要从事第一性原理计算方法和多体计算理论方法的研究以及相关的计算软件开发, 以第一作者/共同第一作者在Adv. Sci., Light Sci. Appl., Mater. Today Phys.等国际学术期刊发表论文 10 余篇。